Mid Sweden University

miun.sePublikasjoner
Endre søk
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Temperature dependence of avalanche breakdown for epitaxial diodes in 4H silicon carbide
Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
1998 (engelsk)Inngår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, Vol. 73, nr 13, s. 1850-1852Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert) Published
sted, utgiver, år, opplag, sider
1998. Vol. 73, nr 13, s. 1850-1852
HSV kategori
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:miun:diva-3518Lokal ID: 3633OAI: oai:DiVA.org:miun-3518DiVA, id: diva2:28550
Tilgjengelig fra: 2008-09-30 Laget: 2008-09-30 Sist oppdatert: 2025-09-25bibliografisk kontrollert

Open Access i DiVA

Fulltekst mangler i DiVA

Person

Lindefelt, Ulf

Søk i DiVA

Av forfatter/redaktør
Lindefelt, Ulf
Av organisasjonen

Søk utenfor DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetric

urn-nbn
Totalt: 195 treff
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf