Mid Sweden University

miun.sePublikasjoner
Endre søk
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Selective SiO2-to-Si3N4 etching in inductively coupled fluorocarbon plasmas: Angular dependence of SiO2 and Si3N4 etching rates
Uppsala universitet, Institutionen för materialvetenskap.ORCID-id: 0000-0003-2352-9006
Uppsala universitet, Institutionen för materialvetenskap.
Vise andre og tillknytning
1998 (engelsk)Inngår i: Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces, and Films, ISSN 0734-2101, E-ISSN 1520-8559, Vol. A16, nr 6, s. 3281-Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert) Published
sted, utgiver, år, opplag, sider
1998. Vol. A16, nr 6, s. 3281-
HSV kategori
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:miun:diva-31606DOI: 10.1116/1.581534OAI: oai:DiVA.org:miun-31606DiVA, id: diva2:1140937
Tilgjengelig fra: 2007-03-01 Laget: 2017-09-13 Sist oppdatert: 2025-09-25bibliografisk kontrollert

Open Access i DiVA

Fulltekst mangler i DiVA

Andre lenker

Forlagets fulltekst

Person

Hedlund, Christer

Søk i DiVA

Av forfatter/redaktør
Hedlund, Christer
I samme tidsskrift
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces, and Films

Søk utenfor DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetric

doi
urn-nbn
Totalt: 270 treff
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf