miun.sePublikationer
Ändra sökning
Avgränsa sökresultatet
123 1 - 50 av 101
RefereraExporteraLänk till träfflistan
Permanent länk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Träffar per sida
  • 5
  • 10
  • 20
  • 50
  • 100
  • 250
Sortering
  • Standard (Relevans)
  • Författare A-Ö
  • Författare Ö-A
  • Titel A-Ö
  • Titel Ö-A
  • Publikationstyp A-Ö
  • Publikationstyp Ö-A
  • Äldst först
  • Nyast först
  • Skapad (Äldst först)
  • Skapad (Nyast först)
  • Senast uppdaterad (Äldst först)
  • Senast uppdaterad (Nyast först)
  • Disputationsdatum (tidigaste först)
  • Disputationsdatum (senaste först)
  • Standard (Relevans)
  • Författare A-Ö
  • Författare Ö-A
  • Titel A-Ö
  • Titel Ö-A
  • Publikationstyp A-Ö
  • Publikationstyp Ö-A
  • Äldst först
  • Nyast först
  • Skapad (Äldst först)
  • Skapad (Nyast först)
  • Senast uppdaterad (Äldst först)
  • Senast uppdaterad (Nyast först)
  • Disputationsdatum (tidigaste först)
  • Disputationsdatum (senaste först)
Markera
Maxantalet träffar du kan exportera från sökgränssnittet är 250. Vid större uttag använd dig av utsökningar.
  • 1. Bakowski, M
    et al.
    Gustafsson, U
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Simulation of SiC high power devices1997Ingår i: Physica Status Solidi A, ISSN 0031-8965, Vol. 162, nr 1, s. 421-440Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 2. Bergman, J.P.
    et al.
    Lendenmann, H
    Nilsson, P-Å
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Skytt, P
    Crystal defects as source of anomalous forward voltage increase of 4H SiC diodes2001Ingår i: 3rd European Conference on Silicon Carbide and Related Materials KLOSTER BANZ, GERMANY, SEP, 2000, 2001, s. 299-302Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 3. Galeckas, A
    et al.
    Linnros, J
    Grivickas, V
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Hallin, C
    Auger recombination in 4H-SiC: Unusual temperature behavior1997Ingår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, Vol. 71, nr 22, s. 3269-3271Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 4. Galeckas, A
    et al.
    Linnros, J
    Grivickas, V
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Hallin, C
    Evaluation of Auger recombination rate in 4H-SiC1998Ingår i: Proceedings of the 1997 7th International Conference on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials, ICSCIII.: Part 1 (of 2), Sep 31-Sep 5 1997, Stockholm, Sweden, 1998, s. 533-536Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 5. Grivickas, P
    et al.
    Martinez, A
    Mikulskas, I
    Grivickas, V
    Tomasiunas, R
    Linnros, J
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Free Carrier Diffusion in 4H-SiC2001Ingår i: Materials Science Forum, ISSN 0255-5476, Vol. 353/356, s. 353-356Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 6. Gustafsson, U
    et al.
    Bakowski, M
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Static and dynamic properties of 4.5 kV MOSFETs in 4H and 6H SiC - Simulation study1996Ingår i: Proceedings of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 18-21 Sept. 1995 , Kyoto, Japan, 1996, s. 793-796Konferensbidrag (Övrigt vetenskapligt)
  • 7. Henry, A
    et al.
    Hallin, C
    Ivanov, I.G.
    Bergman, J.P.
    Kordina, O
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Janzén, E
    Ga-bound excitons in 3C-, 4H-, and 6H-SiC1996Ingår i: Physical Review B (Condensed Matter), ISSN 0163-1829, Vol. 53, nr 20, s. 13503-13506Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 8. Henry, A
    et al.
    Ivanov, I.G:
    Egilsson, T
    Hallin, C
    Ellison, A
    Kordina, O
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Janzén, E
    High quality 4H-SiC grown on various substrate orientations1997Ingår i: First European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 96), 6-9 Oct. 1996 , Heraklion, Greece, 1997, s. 1289-1292Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 9. Henry, A
    et al.
    Ivanov, I.G.
    Egilsson, T
    Hallin, C
    Kordina, O
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Janzén, E
    High quality 4H-SiC grown on various substrate orientations1996Ingår i: Diamond and Related Materials, v 6, n 10, Aug. 1997, 1289-92, ISSN 0925-9635, Vol. 6, nr 10, s. 1289-1292Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 10.
    Hjelm, Mats
    et al.
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Martinez, A.
    University of Glasgow, United Kingdom.
    Nilsson, Hans-Erik
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Interband tunneling description of holes in Wurtzite GaN at high electric fields2007Ingår i: Journal of Computational Electronics, ISSN 1569-8025, E-ISSN 1572-8137, Vol. 6, nr 1-3, s. 163-166Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    We have studied the time evolution of an ensemble of holes in Wurtzite GaN under the effect of a high electric field. The density matrix equation used as a foundation in the study includes band-to-band tunneling, but disregards collisions. In the description of the ensemble dynamics the full band structure is used. The average energy and group velocity for the ensemble is calculated, as well as velocity components corresponding to the non-diagonal elements of the velocity operator (interference). The calculations have been carried out for the electric field strengths 0.4 and 4 MV/cm. A comparison is presented of the results with and without inclusion of band tunneling in the ensemble dynamics. There is also a comparison of the velocity with and without the non-diagonal elements of the velocity operator terms. A conclusion is that Monte Carlo simulations considering band tunneling, but not interference, can give accurate results.

  • 11. Hongqi, Xu
    et al.
    Lindefelt, Ulf
    Deep levels due to vacancy pairs in silicon1989Ingår i: International Journal of Modern Physics B, ISSN 0217-9792, Vol. 3, nr 6, s. 863-870Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 12. Hongqi, Xu
    et al.
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Electronic structure of vacancy-phosphorus impurity complexes in silicon1990Ingår i: Symposium at the 1989 fall meeting of Materials research society: Boston, MA, nov 27-dec 01 1989, 1990, s. 287-290Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 13. Ivanov, I.G.
    et al.
    Henry, A
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Egilsson, T
    Kordina, O
    Hallin, C
    Monemar, B
    Janzén, E
    Phonon energies at the M-point in 4H-SiC1996Ingår i: 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors, vol. 1: 21-26 July 1996 , Berlin, Germany, 1996, s. 233-236Konferensbidrag (Övrigt vetenskapligt)
  • 14. Ivanov, I.G.
    et al.
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Henry, A
    Egilsson, T
    Kordina, O
    Janzén, E
    Changes in the exciton-related photoluminescence of 4H- and 6H-SiC induced by uniaxial stress1998Ingår i: 7th International Conference on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials (ICSCIII-N 97) STOCKHOLM, SWEDEN, AUG 31-SEP 05, 1997, 1998, s. 489-492Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 15. Ivanov, I.G.
    et al.
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Henry, A
    Kordina, O
    Hallin, C
    Aroyo, M
    Egilsson, T
    Janzen, E
    Phonon replicas at the M-point in 4H-SiC: A theoretical and experimental study1998Ingår i: Physical Review B (Condensed Matter), ISSN 0163-1829, Vol. 58, nr 20, s. 13634-13647Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 16. Iwata, H
    et al.
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Öberg, S
    Briddon, P.R.
    A new type of quantum wells: Stacking faults in SiC2003Ingår i: Microelectronics Journal, ISSN 0026-2692, Vol. 34, nr 5-8, s. 371-374Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 17. Iwata, H
    et al.
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Öberg, S
    Briddon, P.R.
    Cubic Polytype inclusions in 4H-SiC2003Ingår i: Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, Vol. 93, nr 3, s. 1577-1585Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 18. Iwata, H
    et al.
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Öberg, S
    Briddon, P.R.
    Effective Mass of Electrons in Quantum-Well-Like Stacking Fault Gap States in Silicon Carbide2003Ingår i: 4th Euopean Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002) LINKOPING, SWEDEN, SEP 02-25, 2002, 2003, s. 519-522Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 19. Iwata, H
    et al.
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Öberg, S
    Briddon, P.R
    Electronic Localization around Stacking Faults in Silicon Carbide2002Ingår i: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials TSUKUBA, JAPAN, OCT 28-NOV 02, 2001, 2002, s. 529-532Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 20. Iwata, H
    et al.
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Öberg, S
    Briddon, P.R.
    Electronic Properties of Stacking Faults in 15R-SiC2003Ingår i: 4th Euopean Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002) LINKOPING, SWEDEN, SEP 02-25, 2002, 2003, s. 531-534Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 21. Iwata, H
    et al.
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Öberg, S
    Briddon, P.R.
    Electronic Structure of Twin Boundaries in 3C-SiC, Si and Diamond2003Ingår i: Proceedings of the 4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Sep 2-5 2002, Linkoping, Sweden, 2003, s. 527-530Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 22. Iwata, H
    et al.
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Öberg, S
    Briddon, P.R.
    Localized Electronic States around Stacking Faults in Silicon Carbide2002Ingår i: Physical Review B (Condensed Matter and Materials Physics), ISSN 0163-1829, Vol. 65, nr 3, s. 0332303-1Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 23. Iwata, H
    et al.
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Öberg, S
    Briddon, P.R.
    Stacking Fault-Stacking Fault Interactions and Cubic Inclusions in 6H-SiC: An Ab Initio Study2003Ingår i: 4th Euopean Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002) LINKOPING, SWEDEN, SEP 02-25, 2002, 2003, s. 921-924Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 24. Iwata, H
    et al.
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Öberg, S
    Briddon, P.R.
    Theoretical Calculation of Stacking Fault Energies in Silicon Carbide2002Ingår i: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials TSUKUBA, JAPAN, OCT 28-NOV 02, 2001, 2002, s. 439-442Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 25. Iwata, H
    et al.
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Öberg, S
    Briddon, P.R.
    Theoretical Study of Planar Defects in Silicon Carbide2002Ingår i: Journal of Physics (Condensed Matter), ISSN 0953-8984, Vol. 14, nr 48, s. 12733-12740Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 26. Iwata, H
    et al.
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Öberg, S
    Briddon, P.R.
    Theoretical Study of Polytype Inclusions in 4H-SiC2002Ingår i: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials TSUKUBA, JAPAN, OCT 28-NOV 02, 2001, 2002, s. 533-536Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 27. Iwata, H.P.
    et al.
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Öberg, S
    Briddon, P.R.
    Ab initio study of 3C inclusions and stacking fault-stacking fault interactions in 6H-SiC2003Ingår i: Journal of applied physics, ISSN 0021-8979, Vol. 94, nr 8, s. 4972-4979Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 28. Iwata, H.P
    et al.
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Öberg, S
    Briddon, P.R
    Effective masses of two-dimensional electron gases around cubic inclusions in hexagonal silicon carbide2003Ingår i: Physical Review B (Condensed Matter and Materials Physics), ISSN 0163-1829, Vol. 68, nr 24, s. 245309-1Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 29. Iwata, H.P.
    et al.
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Öberg, S
    Briddon, P.R
    Energies and electronic properties of isolated and interacting twin boundaries in 3C-SiC, Si and diamond2003Ingår i: Physical Review B (Condensed Matter and Materials Physics), ISSN 0163-1829, Vol. 68, nr 11, artikel-id 113202Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 30. Jacobson, H
    et al.
    Birch, J
    Hallin, C
    Henry, A
    Yakimova, T
    Tuomi, T
    Janzén, E
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Doping-induced strain in N-doped 4H-SiC crystals2003Ingår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, Vol. 82, nr 21, s. 3689-3691Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 31. Jacobson, H
    et al.
    Birch, J
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Hallin, C
    Henry, A
    Yakimova, R
    Janzén, E
    Doping-Related Strain in n-Doped 4H-SiC Crystals2003Ingår i: Silicon Carbide and Related Materials 2002. ECSCRM 2002. 4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 2-5 Sept. 2002 , Linkoping, Sweden, 2003, s. 269-272Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 32. Johansson, L.I.
    et al.
    Owman, F
    Mårtensson, P
    Persson, C
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Electronic structure of 6H-SiC(0001)1996Ingår i: Physical Review B (Condensed Matter), ISSN 0163-1829, Vol. 53, nr 20, s. 13803-13807Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 33. Konstantinov, A.O.
    et al.
    Nordell, N
    Wahan, Q
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Temperature dependence of avalanche breakdown for epitaxial diodes in 4H silicon carbide1998Ingår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, Vol. 73, nr 13, s. 1850-1852Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 34. Konstantinov, A.O.
    et al.
    Wahab, Q
    Nordell, N
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Ionization rates and critical fields in 4H Silicon Carbide1997Ingår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, Vol. 71, nr 1, s. 90-92Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 35. Konstantinov, A.O.
    et al.
    Wahab, Q
    Nordell, N
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Ionization rates and critical fields in 4H-SiC junction devices1998Ingår i: Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials. 7th International Conference, 31 Aug.-5 Sept. 1997 , Stockholm, Sweden: pt.1, 1998, s. 513-516Konferensbidrag (Refereegranskat)
  • 36. Kordina, O
    et al.
    Bergman, J.P.
    Henry, A
    Janzén, E
    Savage, S
    André, J
    Ramberg, L.P.
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Hermansson, W
    Bergman, K
    A 4.5 kV 6H silicon carbide rectifier1995Ingår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, Vol. 67, nr 11, s. 1561-1563Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 37.
    Lindefelt, Ulf
    Lunds universitet.
    A large unit cell approach to the theory of deep level impurities1977Ingår i: Journal of Physics C (Solid State Physics), ISSN 0022-3719, Vol. 11, nr 1, s. 85-100Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 38.
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    A model for doping-induced bandgap narrowing in 3C-, 4H-, and 6H-SiC1999Ingår i: Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology, ISSN 0921-5107, Vol. B61-62, nr jul, s. 225-228Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 39.
    Lindefelt, Ulf
    Lunds universitet.
    A study of the neutral undistorted vacancy in silicon1978Ingår i: Journal of Physics C (Solid State Physics), ISSN 0022-3719, Vol. 11, nr 17, s. 3651-3608Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 40.
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Current-density relations for nonisothermal modeling of degenerate heterostructure devices1994Ingår i: Journal of applied physics, ISSN 0021-8979, Vol. 75, nr 2, s. 958-966Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 41.
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Doping-induced band edge displacements and band gap narrowing in 3C-, 4H- 6H-SiC and Si1998Ingår i: Journal of applied physics, ISSN 0021-8979, Vol. 84, nr 5, s. 2628-2637Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 42.
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Equations for electrical and electrothermal simulation of anisotropic semiconductors1994Ingår i: Journal of applied physics, ISSN 0021-8979, Vol. 76, nr 7, s. 4164-4167Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 43.
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Heat generation in semiconductor devices1994Ingår i: Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, Vol. 75, nr 2, s. 942-957Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 44.
    Lindefelt, Ulf
    Lunds universitet.
    Methods for theoretical studies of the electronic structure of deep level impurities in semiconductors1979Doktorsavhandling, monografi (Övrigt vetenskapligt)
  • 45.
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Regularities in the conductance for armchair and metallic zigzag carbon nanotubes with separated vacancy pairsManuskript (preprint) (Övrigt vetenskapligt)
    Abstract [en]

    Using quantum transport theory in conjunction with a tight-binding description of the electron interactions with the lattice, we have mapped out the variations in the conductance in single-wall carbon nanotubes when the two vacancies in a well-separated vacancy pair assume all different relative positions. The investigations have been performed for armchair and metallic zigzag carbon nanotubes. It is found that only a very limited number of basically different conductance spectra exist, and that much of the results concerning how the conductance depends on the intervacancy separation can be interpreted in terms of a simple one-dimensional double-barrier scattering model. The total conductance is also analyzed in terms of its constituent eigenchannels to provide additional insight into the conduction mechanism. For instance, eigenchannels can be either totally unperturbed, contain double-barrier scattering resonances, Fano anti-resonances, or be completely blocking in a narrow energy interval, depending on the exact relative positions of the vacancies. Furthermore, and in accordance with experiments, it is found that the region bounded by the two vacancies in a separated vacancy pair can alternatively be regarded as a quantum dot similar to that defined by a semiconductor-metal-semiconductor heterojunction nanotube.

  • 46.
    Lindefelt, Ulf
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Resonances and rotation symmetries in the conductance of armchair carbon nanotubes with extended defect pairs2005Ingår i: Physical Review B Condensed Matter, ISSN 0163-1829, E-ISSN 1095-3795, Vol. 72, nr 15, s. 153405-1Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The influence on the conductance of armchair carbon nanotubes due to the presence of extended vacancy pairs has been investigated using a conventional pi-electron tight-binding model. It is found that the conductance in the linear band region around the Fermi energy contains resonance peaks and dips, which can be understood as double-barrier scattering resonances and Fano antiresonances and whose number depends on the longitudinal intervacancy separation. Furthermore, for a given longitudinal intervacancy separation, only two distinctly different conductance spectra appear in this energy region as the second vacancy in the pair assumes all different lateral positions around the tube circumference. It is also found that the conductance can be very sensitive to minimal changes in the relative intervacancy positions.

  • 47. Lindefelt, Ulf
    Symmetric lattice distortions around deep-level impurities in semiconductors: Vacancy and substitutional Cu in silicon1983Ingår i: Physical Review B (Condensed Matter), ISSN 0163-1829, Vol. 28, nr 8, s. 4510-4518Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 48.
    Lindefelt, Ulf
    Lunds universitet.
    The localized vacancy state in Ge1979Ingår i: Journal of Physics C (Solid State Physics), ISSN 0022-3719, Vol. 12, nr 11, s. L419-L423Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
  • 49.
    Lindefelt, Ulf
    et al.
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Iwata, H
    Electronic properties of Stacking Faults and Thin Cubic Inclusions in SiC Polytypes2004Ingår i: Silicon Carbide: recent major advances, Berlin: Springer, 2004, s. 89-118Kapitel i bok, del av antologi (Övrigt vetenskapligt)
  • 50.
    Lindefelt, Ulf
    et al.
    Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
    Iwata, H
    Öberg, S
    Briddon, P.R
    Insight into the Degradation Phenomenon in SiC Devices from ab initio Calculations of the Electronic Structure of Single and Multiple Stacking Faults2003Ingår i: Silicon Carbide and Related Materials 2002. ECSCRM 2002. 4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 2-5 Sept. 2002 , Linkoping, Sweden, 2003, s. 907-912Konferensbidrag (Refereegranskat)
123 1 - 50 av 101
RefereraExporteraLänk till träfflistan
Permanent länk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf