miun.sePublikationer
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Piezoelectric gated ZnO nanowire diode studied by in situ TEM probing
Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Avdelningen för naturvetenskap.ORCID-id: 0000-0003-2873-7875
Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Avdelningen för naturvetenskap.
Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Avdelningen för naturvetenskap.ORCID-id: 0000-0002-4376-2676
Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Avdelningen för naturvetenskap.ORCID-id: 0000-0001-9137-3440
Visa övriga samt affilieringar
2014 (Engelska)Ingår i: Nano Energy, ISSN 2211-2855, Vol. 3, s. 10-15Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

The piezoelectricity of ZnO nanowires has shown rising interests during the last few years and fields such as piezotronics and piezophotonics are emerging with a number of applications and devices. One such device is the piezoelectric gated ZnO nanowire diode, where the p–n junction is replaced by a dynamically created potential barrier created simply by bending the otherwise homogeneously doped nanowire. To further study this type of diode we used in situ transmission electron microscope (TEM) probing, where one electrode was fixed at the end of a ZnO nanowire and another moveable electrode was used both for bending and contacting the wire. Thereby we were able to further characterise this diode and found that the diode characteristics depended on whether the contact was made to the stretched (p-type) surface or to the compressed (n-type) surface of the wire. When the neutral line of the wire contacted, between the stretched and the compressed side, the I–V characteristics were independent on the current direction. The performance of the diodes upon different bending intensity showed a rectifying ratio up to the high value of 60:1. The diode ideality factor was found to be about 5. Moreover, the reverse breakdown voltages of the diode were measured and a local but permanent damage to the diode action was found when the voltage went over the reverse breakdown voltage. 

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Elsevier, 2014. Vol. 3, s. 10-15
Nyckelord [en]
Breakdown bias, Diode, In situ TEM probing, Piezoelectric, ZnO
Nationell ämneskategori
Den kondenserade materiens fysik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:miun:diva-20156DOI: 10.1016/j.nanoen.2013.10.002ISI: 000330915300002Scopus ID: 2-s2.0-84886737106Lokalt ID: STCOAI: oai:DiVA.org:miun-20156DiVA, id: diva2:662297
Projekt
KKS foundationthe European regional development fundLänstyrelsen VästernorrlandTillgänglig från: 2013-11-06 Skapad: 2013-11-06 Senast uppdaterad: 2017-03-06Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Zhang, RenyunAndersson, HenrikOlsen, MartinHummelgård, MagnusEdvardsson, SverkerNilsson, Hans-ErikOlin, Håkan

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Zhang, RenyunAndersson, HenrikOlsen, MartinHummelgård, MagnusEdvardsson, SverkerNilsson, Hans-ErikOlin, Håkan
Av organisationen
Avdelningen för naturvetenskap
Den kondenserade materiens fysik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 1337 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf