miun.sePublikationer
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Mapping the x-ray response of a CdTe sensor with small pixels using an x-ray microbeam and a single photon processing readout chip
Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier. (Radiation detection)
Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier. (Radiation detection)ORCID-id: 0000-0002-8325-5177
Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier. (Radiation detection)
Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier. (Radiation detection)
2011 (Engelska)Ingår i: Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering / [ed] Larry A. Franks, Ralph B. James, Arnold Burger, SPIE - International Society for Optical Engineering, 2011, s. Art. no. 814208-Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

CdTe is a promising material for X-ray imaging since it has high stopping power for X-rays. However defects in the material, non ideal charge transport and long range X-ray fluorescence deteriorates the image quality. We have investigated the response of a CdTe sensor with very small pixels using an X-ray microbeam entering the sensor at a small incident angle. Effects of defects as well as depth of interaction can be measured by this method. Both electron and hole collection mode has been tested. The results show distorted electrical field around defects in the material and also shows the small pixel effect. It is also shown that charge summing can be used to get correct spectral information.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
SPIE - International Society for Optical Engineering, 2011. s. Art. no. 814208-
Nyckelord [en]
CdTe; characterization; single photon processing; energy resolution
Nationell ämneskategori
Acceleratorfysik och instrumentering Elektroteknik och elektronik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:miun:diva-15078DOI: 10.1117/12.896796ISI: 000297626500006Scopus ID: 2-s2.0-80055038577Lokalt ID: STCISBN: 978-081948752-0 (tryckt)OAI: oai:DiVA.org:miun-15078DiVA, id: diva2:462454
Konferens
Hard X-Ray, Gamma-Ray, and Neutron Detector Physics XIII; San Diego, CA; 22 August 2011 through 24 August 2011;
Tillgänglig från: 2011-12-07 Skapad: 2011-12-07 Senast uppdaterad: 2016-10-19Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Fröjdh, ErikFröjdh, ChristerNorlin, BörjeThungström, Göran

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Fröjdh, ErikFröjdh, ChristerNorlin, BörjeThungström, Göran
Av organisationen
Institutionen för informationsteknologi och medier
Acceleratorfysik och instrumenteringElektroteknik och elektronik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
isbn
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
isbn
urn-nbn
Totalt: 646 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf