miun.sePublikasjoner
Endre søk
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Characterization of Si Wafer Bonding by Injection-Dependent Recombination Velocity
Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
Vise andre og tillknytning
1995 (engelsk)Inngår i: Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters, ISSN 0021-4922, Vol. 34, s. L806-L809Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert) Published
sted, utgiver, år, opplag, sider
1995. Vol. 34, s. L806-L809
Emneord [en]
Wafer bonding recombination interface
HSV kategori
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:miun:diva-1924Lokal ID: 784OAI: oai:DiVA.org:miun-1924DiVA, id: diva2:26956
Tilgjengelig fra: 2008-09-30 Laget: 2008-09-30 Sist oppdatert: 2011-01-10bibliografisk kontrollert

Open Access i DiVA

Fulltekst mangler i DiVA

Personposter BETA

Thungström, Göran

Søk i DiVA

Av forfatter/redaktør
Thungström, Göran
Av organisasjonen

Søk utenfor DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetric

urn-nbn
Totalt: 289 treff
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf