miun.sePublikationer
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Strained-Silicon Heterojunction Bipolar Transistor
Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
Visa övriga samt affilieringar
2010 (Engelska)Ingår i: IEEE Transactions on Electron Devices, ISSN 0018-9383, E-ISSN 1557-9646, Vol. 57, nr 6, s. 1243-1252Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Experimental and modeling results are reported for high-performance strained-silicon heterojunction bipolar transistors (HBTs), comprising a tensile strained-Si emitter and a compressively strained Si0.7Ge0.3 base on top of a relaxed Si0.85Ge0.15 collector. By using a Si0.85Ge0.15 virtual substrate strain platform, it is possible to utilize a greater difference in energy band gaps between the base and the emitter without strain relaxation of the base layer. This leads to much higher gain, which can be traded off against lower base resistance. There is an improvement in the current gain beta of 27x over a conventional silicon bipolar transistor and 11x over a conventional SiGe HBT, which were processed as reference devices. The gain improvement is largely attributed to the difference in energy band gap between the emitter and the base, but the conduction band offset between the base and the collector is also important for the collector current level.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2010. Vol. 57, nr 6, s. 1243-1252
Nyckelord [en]
Band-gap engineering; BiCOMS integration; stained-Si heterojunction bipolar transistor (HBT)
Nationell ämneskategori
Elektroteknik och elektronik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:miun:diva-11628DOI: 10.1109/TED.2010.2045667ISI: 000277884100008Scopus ID: 2-s2.0-77952731669OAI: oai:DiVA.org:miun-11628DiVA, id: diva2:323285
Anmärkning
Article number 5453056Tillgänglig från: 2010-06-10 Skapad: 2010-06-10 Senast uppdaterad: 2017-12-12Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Persson, Stefan

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Persson, Stefan
Av organisationen
Institutionen för informationsteknologi och medier
I samma tidskrift
IEEE Transactions on Electron Devices
Elektroteknik och elektronik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 401 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf