Mittuniversitetet

miun.sePublikationer
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Interband tunneling description of holes in Wurtzite GaN at high electric fields
Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
University of Glasgow, United Kingdom.
Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.ORCID-id: 0000-0002-3790-0729
Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
Ansvarig organisation
2007 (Engelska)Ingår i: Journal of Computational Electronics, ISSN 1569-8025, E-ISSN 1572-8137, Vol. 6, nr 1-3, s. 163-166Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

We have studied the time evolution of an ensemble of holes in Wurtzite GaN under the effect of a high electric field. The density matrix equation used as a foundation in the study includes band-to-band tunneling, but disregards collisions. In the description of the ensemble dynamics the full band structure is used. The average energy and group velocity for the ensemble is calculated, as well as velocity components corresponding to the non-diagonal elements of the velocity operator (interference). The calculations have been carried out for the electric field strengths 0.4 and 4 MV/cm. A comparison is presented of the results with and without inclusion of band tunneling in the ensemble dynamics. There is also a comparison of the velocity with and without the non-diagonal elements of the velocity operator terms. A conclusion is that Monte Carlo simulations considering band tunneling, but not interference, can give accurate results.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2007. Vol. 6, nr 1-3, s. 163-166
Nyckelord [en]
band-to-band tunneling, density matrix, GaN, high-field simulation
Nationell ämneskategori
Elektroteknik och elektronik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:miun:diva-4224DOI: 10.1007/s10825-006-0081-yISI: 000208473600039Scopus ID: 2-s2.0-34247381937Lokalt ID: 4956OAI: oai:DiVA.org:miun-4224DiVA, id: diva2:29256
Tillgänglig från: 2008-09-30 Skapad: 2008-09-30 Senast uppdaterad: 2017-12-12Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Person

Hjelm, MatsNilsson, Hans-ErikLindefelt, Ulf

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Hjelm, MatsNilsson, Hans-ErikLindefelt, Ulf
Av organisationen
Institutionen för informationsteknologi och medier
I samma tidskrift
Journal of Computational Electronics
Elektroteknik och elektronik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 709 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf