miun.sePublikationer
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Effect of anisotropic material properties on the forward voltage drop in 6H- and 4H-SiC power diode structures
Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
1999 (Engelska)Ingår i: Semiconductor Science and Technology, ISSN 0268-1242, Vol. 14, nr 2, s. 125-129Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Ort, förlag, år, upplaga, sidor
1999. Vol. 14, nr 2, s. 125-129
Nationell ämneskategori
Naturvetenskap
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:miun:diva-3514Lokalt ID: 3630OAI: oai:DiVA.org:miun-3514DiVA, id: diva2:28546
Tillgänglig från: 2008-09-30 Skapad: 2008-09-30 Senast uppdaterad: 2011-01-10Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Personposter BETA

Lindefelt, Ulf

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Lindefelt, Ulf
Av organisationen
Institutionen för informationsteknologi och medier
Naturvetenskap

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetricpoäng

urn-nbn
Totalt: 25 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf