miun.sePublikationer
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
First- and second-nearest-neighbor divacancies in silicon: Origin and ordering of gap levels
Ansvarig organisation
1988 (Engelska)Ingår i: Physical Review B Condensed Matter, ISSN 0163-1829, E-ISSN 1095-3795, Vol. 38, nr 6, s. 4107-4112Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Ort, förlag, år, upplaga, sidor
1988. Vol. 38, nr 6, s. 4107-4112
Nationell ämneskategori
Naturvetenskap
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:miun:diva-3286Lokalt ID: 3664OAI: oai:DiVA.org:miun-3286DiVA, id: diva2:28318
Tillgänglig från: 2008-09-30 Skapad: 2009-11-18 Senast uppdaterad: 2017-12-12Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Personposter BETA

Lindefelt, Ulf

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Lindefelt, Ulf
I samma tidskrift
Physical Review B Condensed Matter
Naturvetenskap

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetricpoäng

urn-nbn
Totalt: 39 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf