Mittuniversitetet

miun.sePublikationer
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Study of n-type doping in germanium by temperature based PF+ implantation
Chinese Academy of Sciences, Beijing, China.
Chinese Academy of Sciences, Beijing, China.
Chinese Academy of Sciences, Beijing, China.
Chinese Academy of Sciences, Beijing, China.
Visa övriga samt affilieringar
2020 (Engelska)Ingår i: Journal of materials science. Materials in electronics, ISSN 0957-4522, E-ISSN 1573-482X, Vol. 31, s. 161-166Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Incorporation of P in germanium was studied by using PF+ molecular implantation in a range from room temperature to 400 °C. The presence of F acted as a barrier for P in-diffusion and resulted in higher activation of P at room temperature. In addition, it is found that when the implantation is performed at 400 °C, the residual defects are stable and the diffusion of P can be blocked during activation annealing. Therefore, the final junction depth could be well controlled by the implantation process itself. This method is meaningful for the shallow junction formation in sub 14-nm Ge-based FinFETs or high-performance photodetectors. 

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2020. Vol. 31, s. 161-166
Nationell ämneskategori
Den kondenserade materiens fysik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:miun:diva-38204DOI: 10.1007/s10854-019-02522-3ISI: 000518400500021Scopus ID: 2-s2.0-85075232781OAI: oai:DiVA.org:miun-38204DiVA, id: diva2:1384536
Tillgänglig från: 2020-01-10 Skapad: 2020-01-10 Senast uppdaterad: 2021-04-29Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Person

Radamson, Henry H.

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Radamson, Henry H.
Av organisationen
Institutionen för elektronikkonstruktion
I samma tidskrift
Journal of materials science. Materials in electronics
Den kondenserade materiens fysik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 118 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf