miun.sePublikationer
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Selective SiO2-to-Si3N4 etching in inductively coupled fluorocarbon plasmas: Angular dependence of SiO2 and Si3N4 etching rates
Uppsala universitet, Institutionen för materialvetenskap.ORCID-id: 0000-0003-2352-9006
Uppsala universitet, Institutionen för materialvetenskap.
Visa övriga samt affilieringar
1998 (Engelska)Ingår i: Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces, and Films, ISSN 0734-2101, E-ISSN 1520-8559, Vol. A16, nr 6, s. 3281-Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Ort, förlag, år, upplaga, sidor
1998. Vol. A16, nr 6, s. 3281-
Nationell ämneskategori
Annan elektroteknik och elektronik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:miun:diva-31606DOI: 10.1116/1.581534OAI: oai:DiVA.org:miun-31606DiVA, id: diva2:1140937
Tillgänglig från: 2007-03-01 Skapad: 2017-09-13 Senast uppdaterad: 2017-09-13Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Hedlund, Christer

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Hedlund, Christer
I samma tidskrift
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces, and Films
Annan elektroteknik och elektronik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 179 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf