miun.sePublikasjoner
Endre søk
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Ionization rates and critical fields in 4H-SiC junction devices
Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
1998 (engelsk)Inngår i: Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials. 7th International Conference, 31 Aug.-5 Sept. 1997 , Stockholm, Sweden: pt.1, 1998, s. 513-516Konferansepaper, Publicerat paper (Fagfellevurdert)
sted, utgiver, år, opplag, sider
1998. s. 513-516
Serie
Materials Science Forum, ISSN 0255-5476 ; 264-268
HSV kategori
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:miun:diva-5844Lokal ID: 3637OAI: oai:DiVA.org:miun-5844DiVA, id: diva2:30877
Tilgjengelig fra: 2008-09-30 Laget: 2008-09-30bibliografisk kontrollert

Open Access i DiVA

Fulltekst mangler i DiVA

Personposter BETA

Lindefelt, Ulf

Søk i DiVA

Av forfatter/redaktør
Lindefelt, Ulf
Av organisasjonen

Søk utenfor DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetric

urn-nbn
Totalt: 78 treff
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf