miun.sePublikasjoner
Endre søk
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
First- and second-nearest-neighbor divacancies in silicon: Origin and ordering of gap levels
Ansvarlig organisasjon
1988 (engelsk)Inngår i: Physical Review B Condensed Matter, ISSN 0163-1829, E-ISSN 1095-3795, Vol. 38, nr 6, s. 4107-4112Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert) Published
sted, utgiver, år, opplag, sider
1988. Vol. 38, nr 6, s. 4107-4112
HSV kategori
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:miun:diva-3286Lokal ID: 3664OAI: oai:DiVA.org:miun-3286DiVA, id: diva2:28318
Tilgjengelig fra: 2008-09-30 Laget: 2009-11-18 Sist oppdatert: 2017-12-12bibliografisk kontrollert

Open Access i DiVA

Fulltekst mangler i DiVA

Personposter BETA

Lindefelt, Ulf

Søk i DiVA

Av forfatter/redaktør
Lindefelt, Ulf
I samme tidsskrift
Physical Review B Condensed Matter

Søk utenfor DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetric

urn-nbn
Totalt: 39 treff
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf