Mid Sweden University

miun.sePublikasjoner
EnglishSvenskaNorsk
Endre søk
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Deep levels due to vacancy pairs in silicon
1989 (engelsk)Inngår i: International Journal of Modern Physics B, ISSN 0217-9792, Vol. 3, nr 6, s. 863-870Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert) Published
sted, utgiver, år, opplag, sider
1989. Vol. 3, nr 6, s. 863-870
HSV kategori
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:miun:diva-3285Lokal ID: 3663OAI: oai:DiVA.org:miun-3285DiVA, id: diva2:28317
Tilgjengelig fra: 2008-09-30 Laget: 2008-09-30 Sist oppdatert: 2017-12-12bibliografisk kontrollert

Open Access i DiVA

Fulltekst mangler i DiVA

Person

Lindefelt, Ulf

Søk i DiVA

Av forfatter/redaktør
Lindefelt, Ulf
I samme tidsskrift
International Journal of Modern Physics B

Søk utenfor DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetric

urn-nbn
Totalt: 60 treff
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
v. 2.47.0
|
WCAG
|
Mittuniversitetets bibliotek
|
Mittuniversitetet - Forskning
|
DiVA Login
|
Kontakt