miun.sePublikasjoner
Endre søk
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Full band Monte Carlo study of high field transport in cubic phase silicon carbide
Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.ORCID-id: 0000-0002-3790-0729
Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
Vise andre og tillknytning
Ansvarlig organisasjon
2003 (engelsk)Inngår i: Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, E-ISSN 1089-7550, Vol. 93, nr 6, s. 3389-3394Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert) Published
Abstract [en]

A full band Monte Carlo study of the electron transport in 3C-SiC is presented based on an ab initio band structure calculation using the local density approximation to the density functional theory. The scattering rates and impact ionization transition rates have been calculated numerically from the ab initio band structure using both energy dispersion and numerical wave functions. This approach reduces the number of empirical parameters needed to a minimum. The two empirical coupling constants used have been deduced by fitting the simulated mobility as a function of lattice temperature to experimental data. The peak velocity was found to be approximately 2.2*107 cm/s with a clear negative differential mobility above 600 kV/cm. The electron initiated impact ionization coefficients were found to be 2-10 times stronger than the reported values for the hole initiated impact ionization

sted, utgiver, år, opplag, sider
2003. Vol. 93, nr 6, s. 3389-3394
Emneord [en]
3C-SiC, Monte Carlo, charge transport, impact ionization
HSV kategori
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:miun:diva-1880DOI: 10.1063/1.1554472ISI: 000181376400040Scopus ID: 2-s2.0-0037445042Lokal ID: 682OAI: oai:DiVA.org:miun-1880DiVA, id: diva2:26912
Tilgjengelig fra: 2008-09-30 Laget: 2008-09-30 Sist oppdatert: 2017-12-12bibliografisk kontrollert

Open Access i DiVA

Fulltekst mangler i DiVA

Andre lenker

Forlagets fulltekstScopus

Personposter BETA

Nilsson, Hans-ErikEnglund, UHjelm, Mats

Søk i DiVA

Av forfatter/redaktør
Nilsson, Hans-ErikEnglund, UHjelm, Mats
Av organisasjonen
I samme tidsskrift
Journal of Applied Physics

Søk utenfor DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetric

doi
urn-nbn
Totalt: 412 treff
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf