miun.sePublikasjoner
Endre søk
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
The Effect of Different Transport Models in Simulation of High Frequency 4H-SiC and 6H-SiC Vertical MESFETs
Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.ORCID-id: 0000-0002-3790-0729
Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Institutionen för informationsteknologi och medier.
Vise andre og tillknytning
Ansvarlig organisasjon
2001 (engelsk)Inngår i: Solid-State Electronics, ISSN 0038-1101, E-ISSN 1879-2405, Vol. 45, nr 5, s. 645-653Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert) Published
Abstract [en]

A full band Monte Carlo (MC) study of the high frequency performance of a 4H-SiC Short channel vertical MESFET is presented. The MC model used is based on data from a full potential band structure calculation using the local density approximation to the density functional theory. The MC results have been compared with simulations using state of the art drift-diffusion and hydrodynamic transport models. Transport parameters such as mobility, saturation velocity and energy relaxation time are extracted from MC simulations

sted, utgiver, år, opplag, sider
2001. Vol. 45, nr 5, s. 645-653
Emneord [en]
4H-SiC, 6H-SiC, vertical MESFET
HSV kategori
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:miun:diva-1547DOI: 10.1016/S0038-1101(01)00127-7ISI: 000169397100004Scopus ID: 2-s2.0-0035333259Lokal ID: 539OAI: oai:DiVA.org:miun-1547DiVA, id: diva2:26579
Tilgjengelig fra: 2008-12-11 Laget: 2008-12-11 Sist oppdatert: 2017-12-13bibliografisk kontrollert

Open Access i DiVA

Fulltekst mangler i DiVA

Andre lenker

Forlagets fulltekstScopus

Personposter BETA

Bertilsson, KentNilsson, Hans-ErikHjelm, MatsPetersson, Sture

Søk i DiVA

Av forfatter/redaktør
Bertilsson, KentNilsson, Hans-ErikHjelm, MatsPetersson, Sture
Av organisasjonen
I samme tidsskrift
Solid-State Electronics

Søk utenfor DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetric

doi
urn-nbn
Totalt: 470 treff
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf